מספר מוצר של יצרן:
NDH832P
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
NDH832P-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 4.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
מלאי:
73243 יחידות חדשות מק originales במלאי
12901850
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NDH832P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
-8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1000 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SuperSOT™-8
חבילה / מארז
8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-DGH832P-FSTR-DG
FAIFSCNDH832P
2156-NDH832P
חבילה סטנדרטית
807
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMN67D7L-7
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
IXTC26N50P
MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
DMN3008SFG-7
MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
