ISL9N327AD3ST
מספר מוצר של יצרן:

ISL9N327AD3ST

Product Overview

יצרן:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

ISL9N327AD3ST-DG

תיאור:

N-CHANNEL POWER MOSFET
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 50W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)

מלאי:

5000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12967253
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

ISL9N327AD3ST מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
UltraFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
27mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
26 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
910 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252 (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
2156-ISL9N327AD3ST
FAIFSCISL9N327AD3ST
חבילה סטנדרטית
533

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
renesas-electronics-america

2SJ451ZK-TL-E

P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

infineon-technologies

IPB80P04P4L04ATMA2

MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3

renesas-electronics-america

2SJ463A(0)-T1-A

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

unitedsic

UF3C120400K3S

SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3