מספר מוצר של יצרן:
ISL9N308AD3
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
ISL9N308AD3-DG
תיאור:
N-CHANNEL POWER MOSFET
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 100W (Tc) Through Hole I-PAK
מלאי:
69975 יחידות חדשות מק originales במלאי
12967201
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
ISL9N308AD3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
UltraFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
68 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2600 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I-PAK
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-ISL9N308AD3
FAIFSCISL9N308AD3
חבילה סטנדרטית
919
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ISL9N315AD3
N-CHANNEL POWER MOSFET
ISL9N322AP3
N-CHANNEL POWER MOSFET
2SJ325-AZ
P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET