מספר מוצר של יצרן:
IRFS530A
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFS530A-DG
תיאור:
N-CHANNEL POWER MOSFET
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 10.7A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220F
מלאי:
4315 יחידות חדשות מק originales במלאי
12932562
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFS530A מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10.7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
110mOhm @ 5.35A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
36 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
790 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
32W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IRFS530A
FAIFSCIRFS530A
חבילה סטנדרטית
666
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
HUF75344P3_NL
N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK2511-A
N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3114-S17-AZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
