מספר מוצר של יצרן:
IRFI630BTU
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFI630BTU-DG
תיאור:
N-CHANNEL POWER MOSFET
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.13W (Ta), 72W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
מלאי:
3453 יחידות חדשות מק originales במלאי
12934307
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFI630BTU מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
29 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
720 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.13W (Ta), 72W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262 (I2PAK)
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IRFI630BTU
FAIFSCIRFI630BTU
חבילה סטנדרטית
1,210
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
4AM17-91
POWER N AND P CHANNEL MOSFETS
IRFR121
N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3230C-T1-A
N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
