מספר מוצר של יצרן:
FQPF13N50C
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FQPF13N50C-DG
תיאור:
QFC 500V 480MOHM TO220F
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F
מלאי:
17000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12940925
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQPF13N50C מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Tube
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
56 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2055 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
48W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
FQPF1
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FQPF13N50C
ONSFSCFQPF13N50C
חבילה סטנדרטית
232
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHP068N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 41A TO220AB
FS50KM-2#E52
DISCRETE / POWER MOSFET
SIHG186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC
