מספר מוצר של יצרן:
FQPF12P10
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FQPF12P10-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 100V 8.2A TO220F
תיאור מפורט:
P-Channel 100 V 8.2A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
מלאי:
114717 יחידות חדשות מק originales במלאי
12817815
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQPF12P10 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Tube
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
290mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
27 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
800 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
38W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
FAIFSCFQPF12P10
2156-FQPF12P10-FS
חבילה סטנדרטית
523
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SCH1337-TL-H
P-CHANNEL MOSFET
FQU8N25TU
MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK
CPH6429-TL-E
MOSFET N-CH 60V 2A 6CPH
