מספר מוצר של יצרן:
FQP10N20C
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FQP10N20C-DG
תיאור:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
2400 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946876
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQP10N20C מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
360mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
26 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
510 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
72W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FQP10N20C
FAIFSCFQP10N20C
חבילה סטנדרטית
461
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPA65R190C7
IPA65R190 - 650V AND 700V COOLMO
FDPF5N50FT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
FDA16N50LDTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
