מספר מוצר של יצרן:
FQI5N60CTU
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FQI5N60CTU-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
מלאי:
34688 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946771
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQI5N60CTU מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
670 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.13W (Ta), 100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262 (I2PAK)
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FQI5N60CTU
FAIFSCFQI5N60CTU
חבילה סטנדרטית
350
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQP3P20
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FQA44N30
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
FDP16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3