FQD5N30TF
מספר מוצר של יצרן:

FQD5N30TF

Product Overview

יצרן:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

FQD5N30TF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 300 V 4.4A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

מלאי:

6905 יחידות חדשות מק originales במלאי
13077343
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FQD5N30TF מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
QFET®
אריזה
Bulk
מצב חלק
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
300 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
430 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252 (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
FAIFSCFQD5N30TF
2156-FQD5N30TF-FSTR
חבילה סטנדרטית
740

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
fairchild-semiconductor

FDU6030BL

MOSFET N-CH 30V 10A/42A IPAK

fairchild-semiconductor

FQAF6N80

MOSFET N-CH 800V 4.4A TO3PF

fairchild-semiconductor

FDU6296

MOSFET N-CH 30V 15A/50A IPAK

fairchild-semiconductor

FQP2N60

MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3