מספר מוצר של יצרן:
FDZ209N
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDZ209N-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 12-BGA (2x2.5)
מלאי:
20644 יחידות חדשות מק originales במלאי
12903279
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDZ209N מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
80mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
657 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
12-BGA (2x2.5)
חבילה / מארז
12-WFBGA
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
FAIFSCFDZ209N
2156-FDZ209N-FSTR
חבילה סטנדרטית
346
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFH30N50Q
MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
DMP1070UCA3-7
MOSFET P-CH 12V 3.6A X4DSN0607-3
ZXMP6A17E6QTA
MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
