מספר מוצר של יצרן:
FDU8770
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDU8770-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 115W (Tc) Through Hole IPAK
מלאי:
7050 יחידות חדשות מק originales במלאי
12904323
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDU8770 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Tube
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
73 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3720 pF @ 13 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
115W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
IPAK
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
FAIFSCFDU8770
2156-FDU8770-FS
חבילה סטנדרטית
193
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ZXM66P03N8TA
MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
IXFX32N80Q3
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3
IXFN44N50U2
MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
