מספר מוצר של יצרן:
FDS6990S
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDS6990S-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 7.5A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
6294 יחידות חדשות מק originales במלאי
12935176
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDS6990S מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.5A (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16nC @ 5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1233pF @ 15V
הספק - מקס'
900mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
FDS6990
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDS6990S
FAIFSCFDS6990S
חבילה סטנדרטית
296
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
EMH2603-TL-E
PCH+NCH 1.8V DRIVE SERIES
NDH8321C
MOSFET N/P-CH 20V 3.8A SUPERSOT
NTHD4102PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
