מספר מוצר של יצרן:
FDS6986AS
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDS6986AS-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 6.5A, 7.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
5000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946813
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDS6986AS מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®, SyncFET™
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.5A, 7.9A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
29mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
720pF @ 10V
הספק - מקס'
900mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
FDS69
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDS6986AS
FAIFSCFDS6986AS
חבילה סטנדרטית
728
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDMS9620S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
FDMA6023PZT
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
FDS4501H
MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC