מספר מוצר של יצרן:
FDS6692A
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDS6692A-DG
תיאור:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
1731 יחידות חדשות מק originales במלאי
12947363
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDS6692A מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
29 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1610 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.47W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDS6692A
FAIFSCFDS6692A
חבילה סטנדרטית
582
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PHB110NQ08T,118
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
SI3443DV
MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
PMPB85ENEA/F,115
PMPB85E - 60V, SINGLE N-CHANNEL
