FDS6670A
מספר מוצר של יצרן:

FDS6670A

Product Overview

יצרן:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

FDS6670A-DG

תיאור:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

מלאי:

2525 יחידות חדשות מק originales במלאי
12978130
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FDS6670A מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2220 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
ONSFSCFDS6670A
2156-FDS6670AND
חבילה סטנדרטית
779

סיווג סביבתי וייצוא

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
central-semiconductor

CP802-CWDM3011P-WN

MOSFET P-CH 30V 11A DIE

infineon-technologies

IPP65R050CFD7AAKSA1

MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3

nxp-semiconductors

BUK7611-55A,118

NOW NEXPERIA BUK7611-55A - 75A,

infineon-technologies

IPW65R099CFD7AXKSA1

MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41