מספר מוצר של יצרן:
FDP5690
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDP5690-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 32A (Tc) 58W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
4902 יחידות חדשות מק originales במלאי
12816894
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDP5690 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Tube
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
32A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
27mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1120 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
58W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-65°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
FAIFSCFDP5690
2156-FDP5690-FS
חבילה סטנדרטית
197
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RFD4N06LSM9A
MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA
PMFPB8040XP,115
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
HUF75344S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
