מספר מוצר של יצרן:
FDMS0312S
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDMS0312S-DG
תיאור:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
מלאי:
3234 יחידות חדשות מק originales במלאי
12947220
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDMS0312S מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®, SyncFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
19A (Ta), 42A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.9mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
46 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2820 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 46W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-PQFN (5x6)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
FAIFSCFDMS0312S
2156-FDMS0312S
חבילה סטנדרטית
1,229
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BTS114AE3045ANTMA1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDB8444
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
FDP10N60NZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1