FDMC0202S

מספר מוצר של יצרן:

FDMC0202S

Product Overview

יצרן:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

FDMC0202S-DG

תיאור:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

תיאור מפורט:

N-Channel 25 V 22.5A (Ta), 40A (Tc) 2.3W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)

מלאי:

15629 יחידות חדשות מק originales במלאי

12946220

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDMC0202S מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

אריזות

Bulk

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

25 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

22.5A (Ta), 40A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

3.15mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 1mA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

44 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2705 pF @ 13 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.3W (Ta), 52W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-PQFN (3.3x3.3)

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

FDMC0202S Datasheet

מידע נוסף

שמות אחרים

2156-FDMC0202S

FAIFSCFDMC0202S

חבילה סטנדרטית

1,210

סיווג סביבתי וייצוא

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

renesas-electronics-america

2SJ356(0)-T1-AY

2SJ356 - SIGNAL DEVICE

international-rectifier

IRFSL7730PBF

IRFSL7730 - 12V-300V N-CHANNEL P

onsemi

2SK3704-1EX

MOSFET N-CH

fairchild-semiconductor

FCP260N60E

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N