FDFMA2P859T

מספר מוצר של יצרן:

FDFMA2P859T

Product Overview

יצרן:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

FDFMA2P859T-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET

תיאור מפורט:

P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFET 2x2 Thin

מלאי:

14392 יחידות חדשות מק originales במלאי

12901666

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDFMA2P859T מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

אריזות

Bulk

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

20 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

3A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

120mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1.3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

6 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±8V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

435 pF @ 10 V

תכונת FET

Schottky Diode (Isolated)

פיזור כוח (מרבי)

1.4W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

MicroFET 2x2 Thin

חבילה / מארז

6-UDFN Exposed Pad

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

2156-FDFMA2P859T-FSTR

FAIFSCFDFMA2P859T

חבילה סטנדרטית

1,110

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMN62D0LFB-7

MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN

diodes

DMP2033UVT-13

MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26

diodes

DMP2123LQ-13

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

diodes

DMTH8012LPSQ-13

MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060