מספר מוצר של יצרן:
FDD6680AS
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDD6680AS-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 55A TO252
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 55A (Ta) 60W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
מלאי:
9341 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946515
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDD6680AS מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®, SyncFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
55A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
29 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1200 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
60W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252 (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDD6680AS
ONSONSFDD6680AS
חבילה סטנדרטית
528
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AUIRF1404ZSTRL
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
FDC8886
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
IRF2907ZPBF
IRF2907 - 12V-300V N-CHANNEL POW
