FDD3706
מספר מוצר של יצרן:

FDD3706

Product Overview

יצרן:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

FDD3706-DG

תיאור:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 14.7A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

מלאי:

880 יחידות חדשות מק originales במלאי
12947375
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FDD3706 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
14.7A (Ta), 50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1882 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 44W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252 (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
FDD3706 Datasheet

מידע נוסף

שמות אחרים
FAIFSCFDD3706
2156-FDD3706
חבילה סטנדרטית
500

סיווג סביבתי וייצוא

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
fairchild-semiconductor

FDB8870

MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB

fairchild-semiconductor

NDS8425

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

fairchild-semiconductor

FCPF260N65FL1

MOSFET N-CH 650V 15A TO220F

fairchild-semiconductor

FDD8874

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3