מספר מוצר של יצרן:
FCH077N65F-F155
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FCH077N65F-F155-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 54A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 54A (Tc) 481W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
66 יחידות חדשות מק originales במלאי
12978196
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCH077N65F-F155 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
FRFET®, SuperFET® II
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
54A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
77mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 5.4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
164 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7109 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
481W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FCH077N65F-F155
ONSFSCFCH077N65F-F155
חבילה סטנדרטית
66
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BUK9640-100A/C1,118
BUK9640-100A - N-CHANNEL TRENCHM
SIHA15N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 6A TO220
FQAF16N50
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
