מספר מוצר של יצרן:
FBG10N05AC
Product Overview
יצרן:
EPC Space, LLC
DiGi Electronics מספר חלק:
FBG10N05AC-DG
תיאור:
GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 5A (Tc) Surface Mount 4-SMD
מלאי:
64 יחידות חדשות מק originales במלאי
12997446
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FBG10N05AC מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
EPC Space
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
GaNFET (Gallium Nitride)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
44mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1.2mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2.2 nC @ 5 V
VGS (מקס')
+6V, -4V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
233 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
4-SMD
חבילה / מארז
4-SMD, No Lead
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
4107-FBG10N05AC
חבילה סטנדרטית
169
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB65R145CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
FDS4465-G
MOSFET P-CH 20V 8SOIC
CMS25N10D-HF
MOSFET P-CH 100V 25A DPAK