מספר מוצר של יצרן:
EPC7003AC
Product Overview
יצרן:
EPC Space, LLC
DiGi Electronics מספר חלק:
EPC7003AC-DG
תיאור:
GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 10A (Tc) Surface Mount 4-SMD
מלאי:
144 יחידות חדשות מק originales במלאי
13002661
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
EPC7003AC מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
EPC Space
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
GaNFET (Gallium Nitride)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
42mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1.4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
1.5 nC @ 5 V
VGS (מקס')
+6V, -4V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
168 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
4-SMD
חבילה / מארז
4-SMD, No Lead
מידע נוסף
שמות אחרים
4107-EPC7003A
4107-EPC7003A-DG
EPC7003A
4107-EPC7003AC
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
HTSUS
0000.00.0000
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMN2710UFB-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
SSM6K824R,LF
N-CH MOSFET 20V, +/-8V, 6A ,0.03
SIHP074N65E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
