מספר מוצר של יצרן:
ZXMNS3BM832TA
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
ZXMNS3BM832TA-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 2A 8MLP
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-MLP (3x2)
מלאי:
12886372
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
ZXMNS3BM832TA מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
700mV @ 250µA (Min)
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2.9 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
314 pF @ 15 V
תכונת FET
Schottky Diode (Isolated)
פיזור כוח (מרבי)
1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-MLP (3x2)
חבילה / מארז
8-VDFN Exposed Pad
מידע נוסף
שמות אחרים
ZXMNS3BM832CT
ZXMNS3BM832TA-DG
ZXMNS3BM832DKR
ZXMNS3BM832TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ZVN4525GTA
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
ZVN4525GTC
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
ZVN3320FTA
MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
