ZXMN3A01E6TA
מספר מוצר של יצרן:

ZXMN3A01E6TA

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

ZXMN3A01E6TA-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 2.4A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6

מלאי:

148497 יחידות חדשות מק originales במלאי
12887600
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

ZXMN3A01E6TA מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.4A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
3.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
190 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-6
חבילה / מארז
SOT-23-6
מספר מוצר בסיסי
ZXMN3

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
ZXMN3A01E6TR-DG
31-ZXMN3A01E6TACT
ZXMN3A01E6TR
ZXMN3A01E6DKR
31-ZXMN3A01E6TADKR
31-ZXMN3A01E6TATR
ZXMN3A01E6TR-NDR
ZXMN3A01E6CT-NDR
ZXMN3A01E6CT-DG
ZXMN3A01E6DKR-DG
ZXMN3A01E6CT
ZXMN3A01E6DKRINACTIVE
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
diodes

DMN2230U-7

MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3

diodes

DMPH4013SK3-13

MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R

diodes

DMN2029UVT-7

MOSFET N-CH 6.8A TSOT26

diodes

DMT6007LFGQ-13

MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333