מספר מוצר של יצרן:
ZXMN10B08E6TC
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
ZXMN10B08E6TC-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 1.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
מלאי:
12886447
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
ZXMN10B08E6TC מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.6A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.3V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
230mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.2 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
497 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-26
חבילה / מארז
SOT-23-6
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
10,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
ZXMN10B08E6TA
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
5553
DiGi מספר חלק
ZXMN10B08E6TA-DG
מחיר ליחידה
0.23
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
ZXMN10B08E6QTA
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
ZXMN10B08E6QTA-DG
מחיר ליחידה
0.28
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
SI3442BDV-T1-E3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
26929
DiGi מספר חלק
SI3442BDV-T1-E3-DG
מחיר ליחידה
0.17
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ZXM61N02FTA
MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
ZVP3310ASTOB
MOSFET P-CH 100V 140MA E-LINE
ZXMN6A11GTA
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223