מספר מוצר של יצרן:
ZXMHC10A07N8TC
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
ZXMHC10A07N8TC-DG
תיאור:
MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
תיאור מפורט:
Mosfet Array 100V 800mA, 680mA 870mW Surface Mount 8-SO
מלאי:
17688 יחידות חדשות מק originales במלאי
12904662
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
ZXMHC10A07N8TC מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
800mA, 680mA
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
700mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2.9nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
138pF @ 60V, 141pF @ 50V
הספק - מקס'
870mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SO
מספר מוצר בסיסי
ZXMHC10A07
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
ZXMHC10A07N8DITR
ZXMHC10A07N8DICT
ZXMHC10A07N8DIDKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMC3035LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8SOP
ZXMN6A11DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
ZXMN2A04DN8TC
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
