ZXM62P02E6TA

מספר מוצר של יצרן:

ZXM62P02E6TA

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

ZXM62P02E6TA-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6

תיאור מפורט:

P-Channel 20 V 2.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6

מלאי:

74480 יחידות חדשות מק originales במלאי

12949516

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

ZXM62P02E6TA מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

20 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

2.3A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

200mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

700mV @ 250µA (Min)

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

5.8 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±12V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

320 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.1W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

SOT-23-6

חבילה / מארז

SOT-23-6

מספר מוצר בסיסי

ZXM62P02

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

ZXM62P02E6TA-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

ZXM62P02E6DKR

ZXM62P02E6CT

ZXM62P02E6TR

ZXM62P02E6TR-NDR

ZXM62P02E6

ZXM62P02E6CT-NDR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMN4036LK3-13

MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3

diodes

BSS138-7-F

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

diodes

DMP10H4D2S-7

MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23

toshiba-semiconductor-and-storage

TK3P50D,RQ(S

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK