ZVN4306GTA
מספר מוצר של יצרן:

ZVN4306GTA

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

ZVN4306GTA-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 2.1A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

מלאי:

2633 יחידות חדשות מק originales במלאי
12949560
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

ZVN4306GTA מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.1A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
330mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
350 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-223-3
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
מספר מוצר בסיסי
ZVN4306

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
ZVN4306G
ZVN4306GDKR
ZVN4306GCT
ZVN4306GDKR-DG
ZVN4306GDKRINACTIVE
ZVN4306GCT-NDR
ZVN4306GTR
ZVN4306GTR-NDR
חבילה סטנדרטית
1,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
toshiba-semiconductor-and-storage

2SK2034TE85LF

MOSFET N-CH 20V 100MA SC70

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ20S04M3L(T6L1,NQ

MOSFET P-CH 40V 20A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J511NU,LF

MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB

diodes

DMN10H220L-13

MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23