מספר מוצר של יצרן:
ZVN2110GTA
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
ZVN2110GTA-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 500mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
מלאי:
8391 יחידות חדשות מק originales במלאי
12905673
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
ZVN2110GTA מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
500mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
75 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-223-3
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
מספר מוצר בסיסי
ZVN2110
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
ZVN2110GCT
ZVN2110GDKRINACTIVE
ZVN2110G
ZVN2110GTR-NDR
ZVN2110GCT-NDR
ZVN2110GTR
ZVN2110GDKR-DG
Q1206752
ZVN2110GDKR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFR110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
IXFR27N80Q
MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247
ZVP2106ASTZ
MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE
