DMTH69M8LFVWQ-7
מספר מוצר של יצרן:

DMTH69M8LFVWQ-7

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMTH69M8LFVWQ-7-DG

תיאור:

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 15.9A (Ta), 45.4A (Tc) 3.6W (Ta), 29.4W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

מלאי:

2000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12883605
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

DMTH69M8LFVWQ-7 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1925 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount, Wettable Flank
חבילת מכשירים לספקים
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
DMTH69

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
31-DMTH69M8LFVWQ-7TR
31-DMTH69M8LFVWQ-7CT
31-DMTH69M8LFVWQ-7DKR
DMTH69M8LFVWQ-7DI-DG
DMTH69M8LFVWQ-7DI
חבילה סטנדרטית
2,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
diodes

DMN24H3D6S-7

MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT23

diodes

DMTH3002LPS-13

MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8

diodes

DMN6040SFDEQ-7

MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN

diodes

DMP3017SFK-13

MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN