DMTH47M2SPSW-13

מספר מוצר של יצרן:

DMTH47M2SPSW-13

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMTH47M2SPSW-13-DG

תיאור:

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

תיאור מפורט:

N-Channel 40 V 73A (Tc) 3.3W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12979146

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMTH47M2SPSW-13 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

40 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

73A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

7.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

12.1 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

897 pF @ 20 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

3.3W (Ta), 68W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount, Wettable Flank

חבילת מכשירים לספקים

PowerDI5060-8 (Type UX)

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

מספר מוצר בסיסי

DMTH47

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

31-DMTH47M2SPSW-13TR

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMT10H003SPSW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

diodes

DMN31D5UFO-7B

MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0604

diodes

DMTH10H072LPS-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

diodes

DMTH47M2LPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506