מספר מוצר של יצרן:

DMT8008LSS-13

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMT8008LSS-13-DG

תיאור:

MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8

תיאור מפורט:

N-Channel 80 V 13A (Ta), 32A (Tc) 1.3W (Ta)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12888871

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMT8008LSS-13 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

80 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

13A (Ta), 32A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.8V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

47 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2840 pF @ 40 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.3W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

מספר מוצר בסיסי

DMT8008

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMT8008LSS-13-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

DMT8008LSS-13DI

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMN3051L-7

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

diodes

DMP3010LK3Q-13

MOSFET P-CH 30V 17A TO252

diodes

DMN65D8LQ-7

MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

diodes

DMN62D1LFB-7B

MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN