DMT67M8LCG-13

מספר מוצר של יצרן:

DMT67M8LCG-13

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMT67M8LCG-13-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN

תיאור מפורט:

N-Channel 60 V 16A (Ta), 64.6A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

13270040

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMT67M8LCG-13 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

16A (Ta), 64.6A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

5.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

37.5 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2130 pF @ 30 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

900mW (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

V-DFN3333-8 (Type B)

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

מספר מוצר בסיסי

DMT67

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMT67M8LCG-13-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

31-DMT67M8LCG-13TR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

DMT67M8LCG-7

יצרן

Diodes Incorporated

כמות זמינה

0

DiGi מספר חלק

DMT67M8LCG-7-DG

מחיר ליחידה

0.34

סוג משאב

Parametric Equivalent

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

DMP3007SPSQ-13

MOSFET 25V~30V POWERDI5060-8

diodes

DMTH6012LPSW-13

MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI

wolfspeed

C3M0032120D

SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3

wolfspeed

C3M0016120D

SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3