מספר מוצר של יצרן:
DMT6030LFDF-7
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMT6030LFDF-7-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 6.8A 6UDFN
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 6.8A (Ta) 860mW (Ta), 9.62W (Tc) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
מלאי:
12894825
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMT6030LFDF-7 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
25.5mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.1 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
639 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
860mW (Ta), 9.62W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
U-DFN2020-6 (Type F)
חבילה / מארז
6-UDFN Exposed Pad
מספר מוצר בסיסי
DMT6030
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
DMT6030LFDF-7DI
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMP31D7LW-7
MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323
TSM60N900CP ROG
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
DMTH6005LPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
