DMT6015LFVW-7

מספר מוצר של יצרן:

DMT6015LFVW-7

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMT6015LFVW-7-DG

תיאור:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

תיאור מפורט:

N-Channel 60 V 10A (Ta), 31.8A (Tc) 2.8W (Ta), 28.4W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12978754

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMT6015LFVW-7 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

10A (Ta), 31.8A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

16mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

15.7 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±16V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

808 pF @ 30 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.8W (Ta), 28.4W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount, Wettable Flank

חבילת מכשירים לספקים

PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

31-DMT6015LFVW-7TR

חבילה סטנדרטית

2,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMTH6016LFVWQ-13-A

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

diodes

DMN3060LW-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R

panjit

PJT7413_S1_00001

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

diodes

DMTH6016LFVWQ-7-A

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333