DMT6012LFDF-7

מספר מוצר של יצרן:

DMT6012LFDF-7

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMT6012LFDF-7-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN

תיאור מפורט:

N-Channel 60 V 9.5A (Ta) 900mW (Ta), 11W (Tc) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

מלאי:

3000 יחידות חדשות מק originales במלאי

12949427

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMT6012LFDF-7 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

9.5A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

14mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

13.6 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

785 pF @ 30 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

900mW (Ta), 11W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

U-DFN2020-6 (Type F)

חבילה / מארז

6-UDFN Exposed Pad

מספר מוצר בסיסי

DMT6012

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMT6012LFDF-7-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

DMT6012LFDF-7-DG

31-DMT6012LFDF-7TR

31-DMT6012LFDF-7DKR

31-DMT6012LFDF-7CT

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMN55D0UT-7

MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

diodes

DMP21D0UFB4-7B

MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN

diodes

ZXMP6A17N8TC

MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO

diodes

DMG3404L-7

MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23