DMT31M7LSS-13

מספר מוצר של יצרן:

DMT31M7LSS-13

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMT31M7LSS-13-DG

תיאור:

MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 25A (Ta), 78A (Tc) 1.7W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12979014

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMT31M7LSS-13 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

25A (Ta), 78A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

2.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

84 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

5492 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.7W (Ta), 5.9W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-SO

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

31-DMT31M7LSS-13TR

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMN3016LFDF-7-90

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-

diodes

DMN62D4LFB-7B

MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006

onsemi

FCPF380N65FL1-F154

MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F-3

diodes

DMP31D7LFBQ-7B

MOSFET BVDSS: 25V~30V X1-DFN1006