מספר מוצר של יצרן:
DMT15H053SK3-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMT15H053SK3-13-DG
תיאור:
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 21A (Tc) 1.7W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
מלאי:
12993016
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMT15H053SK3-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
60mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
814 pF @ 75 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.7W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252 (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
DMT15
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMT15H053SK3-13
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMP2900UFB-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
DMT10H4M9SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
DMTH12H007SK3-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
