מספר מוצר של יצרן:
DMT10H072LFV-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMT10H072LFV-13-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 4.7A (Ta), 20A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
מלאי:
12902664
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMT10H072LFV-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.7A (Ta), 20A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
62mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.8V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
228 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerDI3333-8 (Type UX)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
DMT10
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
DMT10H072LFV-13DI
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMT10H072LFV-7
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
6289
DiGi מספר חלק
DMT10H072LFV-7-DG
מחיר ליחידה
0.13
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ZXMP2120E5TA
MOSFET P-CH 200V 122MA SOT25
DMP2007UFG-13
MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
IXFV16N80P
MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220
