DMT10H072LFDF-7
מספר מוצר של יצרן:

DMT10H072LFDF-7

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMT10H072LFDF-7-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 4A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

מלאי:

3000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889056
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

DMT10H072LFDF-7 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
62mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5.1 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
266 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
800mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
U-DFN2020-6 (Type F)
חבילה / מארז
6-UDFN Exposed Pad
מספר מוצר בסיסי
DMT10

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
31-DMT10H072LFDF-7CT
31-DMT10H072LFDF-7DKR
31-DMT10H072LFDF-7TR
DMT10H072LFDF-7-DG
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
diodes

DMN2320UFB4-7B

MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3

diodes

BSS123ATC

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

diodes

DMPH4029LFGQ-7

MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333

diodes

DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3