מספר מוצר של יצרן:
DMT10H032LFVW-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMT10H032LFVW-13-DG
תיאור:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
מלאי:
12979079
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMT10H032LFVW-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
17A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
32mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
683 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.3W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount, Wettable Flank
חבילת מכשירים לספקים
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
DMT10
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMT10H032LFVW-13TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMT10H032LFVW-7
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
DMT10H032LFVW-7-DG
מחיר ליחידה
0.30
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMN2450UFB4Q-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DMN2310UWQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
DMN61D9UT-13
2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K