מספר מוצר של יצרן:
DMT10H032LDV-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMT10H032LDV-13-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 100V 18A PWRDI3333
תיאור מפורט:
Mosfet Array 100V 18A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UXC)
מלאי:
12979044
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMT10H032LDV-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
36mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11.9nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
683pF @ 50V
הספק - מקס'
1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
חבילת מכשירים לספקים
PowerDI3333-8 (Type UXC)
מספר מוצר בסיסי
DMT10
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMT10H032LDV-13TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMP2110UFDB-7
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
DMN2024UFU-7
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN
DMP2045UFDB-13
MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6UDFN
