מספר מוצר של יצרן:
DMS3016SFG-7
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMS3016SFG-7-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
מלאי:
12883518
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMS3016SFG-7 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
13mOhm @ 11.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
44.6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1886 pF @ 15 V
תכונת FET
Schottky Diode (Body)
פיזור כוח (מרבי)
980mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerDI3333-8
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
DMS3016SFG-7DITR
DMS3016SFG7
DMS3016SFG-7DICT
DMS3016SFG-7DIDKR
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RQ3E100MNTB1
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
5261
DiGi מספר חלק
RQ3E100MNTB1-DG
מחיר ליחידה
0.40
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RQ3E080BNTB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
40431
DiGi מספר חלק
RQ3E080BNTB-DG
מחיר ליחידה
0.10
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMN3731UFB4-7B
MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN
DMT3008LFDF-13
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
DMN26D0UT-7
MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
