מספר מוצר של יצרן:

DMP45H4D9HJ3

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMP45H4D9HJ3-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251

תיאור מפורט:

P-Channel 450 V 4.6A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-251

מלאי:

55 יחידות חדשות מק originales במלאי

12884678

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMP45H4D9HJ3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tube

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

450 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

4.6A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

4.9Ohm @ 1.05A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

13.7 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±30V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

547 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

104W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-251

חבילה / מארז

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

מספר מוצר בסיסי

DMP45

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMP45H4D9HJ3-DG

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

75

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

DMP2541UCB9-7

MOSFET P-CH 25V 3.9A U-WLB1515-9

diodes

DMNH4005SCTQ

MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

diodes

DMP6180SK3Q-13

MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252

diodes

DMTH6009LPS-13

MOSFET N-CH 60V PWRDI5060