DMNH6021SPD-13

מספר מוצר של יצרן:

DMNH6021SPD-13

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMNH6021SPD-13-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50

תיאור מפורט:

Mosfet Array 60V 8.2A, 32A 1.5W Surface Mount PowerDI5060-8

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12891803

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMNH6021SPD-13 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

-

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

8.2A, 32A

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

25mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

20.1nC @ 10V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1143pF @ 25V

הספק - מקס'

1.5W

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

כיתה

Automotive

ההסמכה

AEC-Q101

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

חבילת מכשירים לספקים

PowerDI5060-8

מספר מוצר בסיסי

DMNH6021

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMNH6021SPD-13-DG

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMN2019UTS-13

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6P54TU,LF

MOSFET 2P-CH 20V 1.2A UF6

diodes

DMNH6022SSD-13

MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO

diodes

DMNH6022SSDQ-13

MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO