DMNH6011LK3Q-13

מספר מוצר של יצרן:

DMNH6011LK3Q-13

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMNH6011LK3Q-13-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T&R

תיאור מפורט:

N-Channel 55 V 80A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12949635

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMNH6011LK3Q-13 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

55 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

80A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

12mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

49.1 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±12V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

3077 pF @ 30 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.6W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

כיתה

Automotive

ההסמכה

AEC-Q101

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

TO-252 (DPAK)

חבילה / מארז

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

מספר מוצר בסיסי

DMNH6011

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

DMNH6011LK3Q-13

גיליון נתונים של HTML

DMNH6011LK3Q-13-DG

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

toshiba-semiconductor-and-storage

TK12A45D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 450V 12A TO220SIS

diodes

DMP1009UFDF-7

MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J375F,LF

MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI

DMJ65H650SCTI

MOSFET N-CH 650V 10A ITO220AB