DMNH15H110SPS-13
מספר מוצר של יצרן:

DMNH15H110SPS-13

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMNH15H110SPS-13-DG

תיאור:

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 27A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8

מלאי:

13000398
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

DMNH15H110SPS-13 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
27A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
90mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
989 pF @ 75 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerDI5060-8
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
DMNH15

מידע נוסף

שמות אחרים
31-DMNH15H110SPS-13TR
חבילה סטנדרטית
2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
goford-semiconductor

G10N03S

N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<16M

panjit

PSMP075N15NS1_T0_00601

150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

vishay-siliconix

SI2323DS-T1-BE3

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

IRLR110TRPBF-BE3

N-CHANNEL 100V